CdSe / ZnS量子点垂直腔半导体激光器（QDVCSEL）具有高增益，低阈值电流，高芯片集成度和良好的光谱单色性等优点，在许多领域具有广阔的应用前景。
由于QDVCSEL在工作期间会产生大量的焦耳热，并且需要有效的载流子注入能力，因此在电泵下很难实现QDVCSEL。
另外，微腔激光器的光腔设计直接影响到激光器的波长。
波的空间分布会影响模增益，阈值电流和激光器功率。
为了制备可在电泵浦状态下发射激光的CdSe / ZnSQDVCSEL，首先必须确保其光腔设计的合理性。
因此，有必要研究光泵浦条件下QDVCSEL的载流子复合动力学和光子传输。
基于Crosslight先进的半导体仿真设计平台，我们的技术团队开发了CdSe / ZnSQDVCSEL计算模型，以在光泵浦条件下实现CdSe / ZnSQDVCSEL（如下图所示）。
该模型可以帮助研究人员快速找出影响QDVCSEL激光发射过程的许多因素，为分析器件物理特性提供重要参考价值，对制备高效QDVCSEL具有重要的指导意义。
图：在波长为500nm的激发源下CdSe / ZnSQDVCSEL的光输出功率图。
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