IGBT模块的电压规格与所用器件的输入功率密切相关，即测试电源的电压。
他们的关系如下表所示。
在使用中，当IGBT模块的集电极电流增加时，所得的额定损耗也变大。
同时，开关损耗增加，这增加了原始的热量。
因此，选择IGBT模块时，额定电流应大于负载电流。
特别是当用作高频开关时，由于开关损耗的增加，加热损耗加剧，并且在选择时应该使用。
IGBT模块是先进的第三代功率模块，工作频率为1-20KHZ。
它主要用于逆变器的主电路逆变器和所有逆变器电路，即DC / AC转换。
电动汽车，伺服控制器，UPS，开关电源，斩波器电源，无轨电车等的例子已经发布了十多年，几乎取代了所有其他电源设备，如SCR，GTO，GTR， MOSFET，双极达林顿等，在低频应用中功率可达1MW，单个元件的电压可达到4.0KV（PT结构） - 6.5KV（NPT结构），电流可达1.5KA，是一个理想的电源模块。
其原因是第三代IGBT模块是一种电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，开关速度快，工作频率高，元件容量大。
其实质是复合功率器件，它结合了双极功率晶体管和功率MOSFET的优点。
由于采用先进的处理技术，它具有低导通饱和电压和高开关频率（高达20KHZ）。
这两个非常显着的特征。
最近，西门子推出了具有低饱和压降（2.2V）的NPT-IGBT。
好，连续的东芝，富士，IR，摩托罗拉也在开发新品种。
IGBT模块的发展趋势是针对高耐压，大电流，高速，低压降，高可靠性和低成本，特别是高压逆变器应用的发展，简化其主电路，减少器件的使用，改善可靠性和降低制造成本，简化调试等与IGBT密切相关。
因此，世界主要设备公司正在努力研发，并将在未来2 - 3年内取得突破。
有适用于高压逆变器的电压型HV-IGBT，IGCT，电流模式SGCT等。
由于IGBT模块是MOSFET结构，因此IGBT的栅极通过氧化膜与发射极电隔离。
由于氧化膜非常薄，其击穿电压通常达到20至30V。
因此，静电导致的栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。
因此，在使用过程中请注意以下几点：使用模块时，尽量不要用手触摸驱动器端子部件。
当需要触摸模块端子时，首先用大电阻接地对人体或衣物上的静电放电，然后触摸当用导电材料连接模块驱动端子时，不要连接模块直到接线不到连接的;尽量好好操作地板。
在应用中，虽然确保栅极驱动电压不超过栅极的最大额定电压，但栅极布线的寄生电感和栅极与集电极之间的电容耦合也会产生损坏氧化层的振荡电压。
为此，通常使用双绞线来传输驱动信号以减少寄生电感。
通过将小电阻器与栅极布线串联连接，也可以抑制振荡电压。
此外，当在栅极和发射极之间施加开路时，如果在集电极和发射极之间施加电压，则由于集电极电位的变化，栅极电位由于集电极的漏电流而增加，并且收集器然后有电流流动。
此时，如果集电极和发射极之间存在高电压，则IGBT可能产生热量并被损坏。
在使用IGBT的情况下，当栅极电路异常或栅极电路损坏（栅极处于打开状态）时，如果向主电路施加电压，则IGBT损坏。
为了防止这种错误，它应该在门口。
在极点和发射极之间串联一个10KΩ电阻。
安装或更换IGBT模块时，应认真对待IGBT模块和散热器的接触面状况和紧固程度。
为了降低接触热阻，最好在散热器和IGBT模块之间涂抹导热油脂。
通常，散热风扇安装在散热器的底部。
当散热风扇损坏时，散热片的散热可能导致IGBT模块发热和发生故障。
因此，应定期检查冷却风扇。
通常，温度传感器安装在IGBT模块附近的散热器上。
当温度过高时，IGBT模块将报警或停止。
通常，存储IGBT模块的地方应保持在常温和常湿下，并且不应偏离太多。
常温指定为5至35°C，正常湿度指定为45至75％。
在冬季特别干燥的地方，用加湿器加湿;尽量远离腐蚀性气体或灰尘;在温度急剧变化的地方，IGBT模块表面可能会结露，因此IGBT模块应放在温度下。
变化很小的地方;存放时，注意不要在IGBT模块上堆放重物;对于带IGBT模块的容器，请使用无静电的容器。
IGBT模块由于其优异的特性，得到了迅速的发展和推广，并已应用于电力电子的各个方面。
因此，熟悉IGBT模块的性能，有必要了解实际应用中注意事项的选择和使用。